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第379章 pmos（第1页）

pos

不是我不一次性说完，而是我每说一句话，你都要打断我发表一点儿什麽意见，利诺奇卡心想。

「煤油？煤油的热值是要比酒精高，啊哈，难道这就是原因？」

部长同志这才有些释然。

并不是他一定要找点什麽原因才能让自己高兴，而是这些情况单独看起来都不算什麽，可是全部组合到一起，就多少有一些让人惊讶了。

更大的射程，更大的战斗部，同等的尺寸和重量，这说明对方一定有什麽自己不知道的技术。

「部长同志，我们要不要试一试把p-15的酒精换成煤油？」

p-15，就是544飞弹。

「噢，不！基层的达瓦里氏们会抱怨的，至少现在的p-15不能换！他们已经习惯维护这种飞弹了，不是麽？」

不得不说，作为部长，还是非常体恤一线基层的同志的。

咱们正毛旗的兵，就爱维护酒精燃料！

「利诺奇卡同志，如果那边还有什麽新的消息，一定要早一点告诉我。顺便告诉卢比扬卡的同志，他们需要付出更多努力了！」部长同志总是觉得其中有哪里不对，但是又不知道哪里不对。

——

老毛子的纠结，高振东并不知道，他正在纠结自己的事情。

其实也不是纠结，只是在繁杂的工艺中选出一条合适的路来。

虽然已经选定了os技术，可是os技术也有pos（p沟道os）丶nos（n沟道os）丶os（互补os）等等。

这些技术的每一道工序，又有不同的选择。

就好像搭积木，要搭出一个公园来，有不同的搭法，正所谓杀猪杀屁股，各有各的杀法。

不过在os的种类上，高振东倒是没什麽好纠结的，pos直接上就行了，作为最早的os技术，自然是有他的优点的。

猜猜它为什麽最早？简单啊！

pos只需要五次光刻就能搞定。

p区光刻丶栅光刻丶接触光刻丶金属光刻丶压焊块光刻，并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。

分别形成p区丶栅极丶对外接触孔丶晶片内布线和封装时用的引出焊点。

而且，其中掩膜需要严格对准套刻的，只有第二次栅光刻，其他时候的对准要求都不是那麽高，这就让手上的技术条件有限，捉襟见肘的高振东感到很舒服。

抛开封装，只是从矽片到布满成品晶片核心（die）的半成品，只需要12步工艺，就这，还包括准备矽片那一步工艺。

甚至不想要钝化那一步的话，只要前4次光刻就足够了，与之相应的工艺也减少到了10步。

这是真的简单，而且对材料的要求也不高。

只需要考虑引入三种元素。